Contribution au développement d’un modèle de Simulation physique 2D d’un transistor de puissance GaN HEMT dans l’environnement de simulation Sentaurus – Application à l’étude des propriétés de tenue en tension et de court-circuit – Publié le 08/02/2023 (màj 12/09/23)

Responsables : Frédéric Richardeau, Lucien Ghizzo
Type de poste : Thèse