L’ambition du projet LSD-MOSFET est de réaliser de nouveaux transistors à effet de champ à grille isolée de grandes tailles en diamant sur des substrats de grandes tailles fonctionnant à haute tension / haute température.

Des partenaires du projet ont récemment développé de nouveaux concepts s’appuyant sur les propriétés physiques spécifiques des semi-conducteurs à ultra grand gap (notamment transistor à déplétion profonde et contrôle électro-optique). L’objectif de LSD-MOSFET est de réaliser nouveaux composants intelligents en diamant s’appuyant sur une architecture de type Finger FET couplée à un interrupteur non volatile activé par la lumière afin d’atteindre des performances ambitieuses (1 kV, 1 A à 250 ° C) sur des substrats de grande taille (1/2 pouce).

Cette rupture scientifique et technologique permettra de franchir une première étape d’une démarche visant l’introduction des composants à base de diamant dans les systèmes d’électronique de puissance. A long terme, le diamant répondra ainsi aux principales exigences des applications d’électronique de puissance à faible émission de carbone.